为什么P型半导体的电阻率比N型大

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/12 08:25:28
为什么P型半导体的电阻率比N型大

为什么P型半导体的电阻率比N型大
为什么P型半导体的电阻率比N型大

为什么P型半导体的电阻率比N型大
p型半导体中多子为空穴,主要靠空穴导电;n型半导体中的多子为电子,主要靠电子导电;空穴的迁移率比电子的小,所以p型半导体的电导率比n型的小,即P型半导体的电阻率比N型大.

相同杂质浓度下,P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的,因为P型半导体主要依靠空穴导电,N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内,空穴的迁移率远远小于电子的迁移率,常温下,硅中空穴迁移率为450cm/V/S,电子迁移率为1450cm/V/S,所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说,硅体内掺相同剂量的磷和硼,比如1E15cm-3,则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米,而掺硼的...

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相同杂质浓度下,P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的,因为P型半导体主要依靠空穴导电,N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内,空穴的迁移率远远小于电子的迁移率,常温下,硅中空穴迁移率为450cm/V/S,电子迁移率为1450cm/V/S,所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说,硅体内掺相同剂量的磷和硼,比如1E15cm-3,则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米,而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。

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