PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但

PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?追问我最想知道这个问题 回答PN结中内电场对多子有作用力 追问问题是我很想知道这个力是怎么个作用法.我就是想知道,内电场由n区指向p区,怎 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但 PN结中内电场怎么会抑制扩散运动 pn结外加正电压为什么变窄?多子扩散是怎么样的过程? pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会 PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结电子扩散原理我们书上有一段写的是P区及N区各自的多子向对方扩散,但是,扩散的原理是什么?是因为电荷的互相吸引吗? 形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子形成pn结经过了多子的（ ）运动和少子的（ ）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动?为什么三极管PN结中的电场能阻止两边的电子与空穴的移动? PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了? 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动? PN结的导电①如果把PN结弄断,单独P区如何导电?②物理上说电流是由于电子的移动产生的.PN结正偏时,P结中导电的是多子空穴,③PN结反偏时,为什么电流截止?（别说内电场增强而阻止,内电场方 关于半导体PN结正向偏置时,电场与内电场相反,扩散运动增大应该会导致PN结增大,怎么会是减小呢 PN结为什么促进少子漂移阻碍多子扩散呢 二极管正向导通,反向截止正向导通时,所加电压越大,PN结内电场减小越多,也就是势垒越低.这样易于多子的扩散,也就是正向电流越大?最终电流大小是不是取决于所掺杂浓度?是不是可以说正向 PN结外加反向电压,为什么处于截止状态书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反 PN结的内电场方向是啥P,N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,